设备特点

◎ 用途：用于 HgCdTe 薄膜材料的液相外延生长

◎ 基片尺寸：max40mm×60mm

◎ 数量：每管炉次 4 片；

◎ 反应管内径：Φ126mm；

◎ 控温分区：四区独立控温； 

◎ 最高工作温度：750℃；

◎ 温度控制精度：≤0.1℃

◎ 恒温区长度：260mm；

◎ 恒温区温度均匀度：±0.2℃（400℃～550℃）；

◎ 控温方式：内控温和外控温

◎ 最小稳定降温速率：≤0.1℃/min,±0.1℃

◎ 空载快速降温速率：550℃-100℃，≤90min

◎ 石墨舟：垂直进出反应管，升降自动 

◎ 旋转方向：顺时针和逆时针

◎ 旋转：基片支架可相对石墨舟或坩埚旋转、浸液升降；

◎ 基片支架浸舟升降行程：≥85cm

◎ 基片支架浸舟升降速度：1-10mm/s

◎ 基片支架浸舟旋转速度：0.5-5rmp

◎ 运动部位定位精度：≤0.5mm

◎ 抽速：整机抽到≤5Pa时间≤5min

◎ 整机极限真空：≤5Pa

◎ 真空检漏灵敏度：1.0×10-12Pa.m3/S

◎ 压升率：≤25Pa/h

◎ 汞收集：排气管路具有汞蒸气冷凝回收冷阱

◎ 工艺过程：计算机全自动控制，人机工程设计，自动运行、操作方便；