SiC 与GaN 晶圆氧化工艺专用设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能，达到国际先进水平。

设备特点

◎ 型号：OXIDE150

◎ 工艺温度：1380℃~1500℃

◎ 工艺气体：H2/N2O/NO/O2/Ar2/N2

◎ 工艺压力：100mbr- Atmospher

◎ 晶圆尺寸：≤150mm

◎ 产能：25或50 片/批

◎ 正常UP Time：98％

◎ 全自动化系统和MES服务

产品优势

◎ 高温氧化工艺时间短

◎ 工艺室具备DCE自清洗功能

◎ 良好的温度均匀性和厚度均匀性