LPCVD用于淀积Poly-Sⅰ、SIPOS、SiO2（LTO TEOS）、P+ Poly-Sⅰ、N+ Poly-Sⅰ、Si3N4、PSG、BSG、BPSG等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

设备主要特点

◎ 采用先进的闭环控制系统，压力稳定无波动

◎ 高精度温控系统

◎ 工艺薄膜均匀性优异

★ 支持SECS/GEM通讯

主要技术指标

◎ 适用硅片尺寸:4~6"

◎ 工作温度范围:350℃~800℃

◎ 恒温长度:300-1100mm(可定制)

◎ 系统极限真空度: 10mtorr

◎ 工作压力范围:100~400mtorr可调

工艺类型

◎ Poly-Sⅰ                        ◎  N+ Poly

◎ SIPOS                            ◎ P+ Poly

◎ SiO2（LTO TEOS）        ◎ Si3N4

◎ 工艺均匀性: 

    片内<±2%      片间<±2%     批间<±2%